Toshiba公司介绍和产品目录_Toshiba Semiconductor_东芝专区_授权代理商

商品描述	综合参数	封装规格/资料	价格(含税)	购买数量/库存	操作
状态：在售型号： SSM3J328R,LF复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：6A（Ta） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23F 料号：JTG8-319 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
状态：在售型号： TK10J80E,S1E复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 800V TO-3PN 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：800V 电流 - 连续漏极(id)：10A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：250W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-3P（N）料号：JTG8-1513 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK12A60W,S4VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：11.5A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：35W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-1529 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK16A60W5,S4VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：15.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-1577 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK20E60W,S1VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：165W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-1643 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK31V60W,LVQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：30.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：240W（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：4-DFN-EP（8x8）料号：JTG8-1670 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK20N60W,S1VF复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：165W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247 料号：JTG8-1808 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK31E60W,S1VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：30.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：230W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-1828 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK31A60W,S4VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：30.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-1829 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK31J60W5,S1VQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N) 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：30.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：230W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-3P（N）料号：JTG8-1890 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK35N65W5,S1F复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：650V 电流 - 连续漏极(id)：35A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：270W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247 料号：JTG8-1957 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK50E10K3(S1SS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：- 漏源极电压（vdss）：- 电流 - 连续漏极(id)：- Vgs(最大值)：- fet 功能：- 功率 - 最大值：-	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-2004 包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK11A50D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：11A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-2039 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK7A65D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：650V 电流 - 连续漏极(id)：7A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-2068 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK12A45D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：450V 电流 - 连续漏极(id)：12A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-2080 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK6A60W,S4VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 310µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:390pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：6.2A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：30W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-2086 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK8Q60W,S1VQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 8A IPAK 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 310µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:390pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：I-PAK 料号：JTG8-2087 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK13E25D,S1X(S复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 310µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:390pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):13A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:102W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：13A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：102W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-2100 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK10A55D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 310µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:390pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):13A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:102W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:720 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： TK13A45D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):13A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:460 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：450V 电流 - 连续漏极(id)：13A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-2165 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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状态：在售型号： SSM3J328R,LF复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：P 通道漏源极电压（vdss）：20V 电流 - 连续漏极(id)：6A（Ta） Vgs(最大值)：±8V fet 功能：- 功率 - 最大值：1W（Ta）	丝印：(请登录) 外壳：封装：SOT-23F 料号：JTG8-319 资料：规格书/封装库包装：		购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个咨询客服	加入询盘
状态：在售型号： TK10J80E,S1E复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 800V TO-3PN 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：800V 电流 - 连续漏极(id)：10A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：250W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-3P（N）料号：JTG8-1513 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK12A60W,S4VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：11.5A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：35W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-1529 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK16A60W5,S4VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 15.8A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：15.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：40W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-1577 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK20E60W,S1VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：165W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-1643 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK31V60W,LVQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 30.8A 5DFN 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：30.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：240W（Tc）	丝印：(请登录) 外壳：封装：4-DFN-EP（8x8）料号：JTG8-1670 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK20N60W,S1VF复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：20A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：165W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247 料号：JTG8-1808 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK31E60W,S1VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：30.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：230W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220 料号：JTG8-1828 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK31A60W,S4VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：30.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-1829 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK31J60W5,S1VQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-3P(N) 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：30.8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：230W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-3P（N）料号：JTG8-1890 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK35N65W5,S1F复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：650V 电流 - 连续漏极(id)：35A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：270W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-247 料号：JTG8-1957 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK50E10K3(S1SS-Q)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 100V 50A TO-220AB 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：- 漏源极电压（vdss）：- 电流 - 连续漏极(id)：- Vgs(最大值)：- fet 功能：- 功率 - 最大值：-	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-2004 包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK11A50D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 500V 11A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：500V 电流 - 连续漏极(id)：11A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-2039 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK7A65D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 650V 7A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：650V 电流 - 连续漏极(id)：7A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-2068 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK12A45D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 450V 12A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：450V 电流 - 连续漏极(id)：12A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-2080 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK6A60W,S4VX复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 310µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:390pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：6.2A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：30W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-2086 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK8Q60W,S1VQ复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N CH 600V 8A IPAK 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 310µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:390pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：600V 电流 - 连续漏极(id)：8A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：超级结功率 - 最大值：80W（Tc）	丝印：外壳：封装：I-PAK 料号：JTG8-2087 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK13E25D,S1X(S复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 250V 13A TO-220AB 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 310µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:390pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):13A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:102W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：250V 电流 - 连续漏极(id)：13A（Ta） Vgs(最大值)：±20V fet 功能：- 功率 - 最大值：102W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220-3 料号：JTG8-2100 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘
状态：在售型号： TK10A55D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 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最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 310µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:390pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):13A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:102W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:720 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 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状态：在售型号： TK13A45D(STA4,Q,M)复制品牌： Toshiba Semiconductor复制 Toshiba 东芝描述： MOSFET N-CH 450V 13A TO-220SIS 参数： fet 类型:P 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:20V 电流 - 连续漏极(id):6A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V，4.5V 不同id,vgs 时的rds on:29.8 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12.8nC @ 4.5V Vgs(最大值):±8V 不同vds 时的输入电容（ciss）:840pF @ 10V fet 功能:- 功率 - 最大值:1W（Ta）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:800V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1 欧姆 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):46nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2000pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:250W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):11.5A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 5.8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 600µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:890pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:35W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):15.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:190 毫欧 @ 7.9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):43nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:40W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:98 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:240W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装型 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):20A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:155 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):48nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1680pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:165W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):86nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):30.8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:88 毫欧 @ 15.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):105nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3000pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:230W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):35A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:95 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):115nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:4100pF @ 300V fet 功能:- 功率 - 最大值:270W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:- 技术:- 漏源极电压（vdss）:- 电流 - 连续漏极(id):- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):- 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- Vgs(最大值):- 不同vds 时的输入电容（ciss）:- fet 功能:- 功率 - 最大值:- 工作温度:- 安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:500V 电流 - 连续漏极(id):11A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:600 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:650V 电流 - 连续漏极(id):7A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:980 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):12A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:520 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):6.2A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:750 毫欧 @ 3.1A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 310µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):12nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:390pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:30W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:600V 电流 - 连续漏极(id):8A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.7V @ 400µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):18.5nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:570pF @ 300V fet 功能:超级结功率 - 最大值:80W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:250V 电流 - 连续漏极(id):13A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1100pF @ 100V fet 功能:- 功率 - 最大值:102W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:550V 电流 - 连续漏极(id):10A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:720 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):24nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1200pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔 fet 类型:N 通道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源极电压（vdss）:450V 电流 - 连续漏极(id):13A（Ta）驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:460 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):25nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1350pF @ 25V fet 功能:- 功率 - 最大值:45W（Tc）工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单替代：	fet 类型：N 通道漏源极电压（vdss）：450V 电流 - 连续漏极(id)：13A（Ta） Vgs(最大值)：±30V fet 功能：- 功率 - 最大值：45W（Tc）	丝印：外壳：封装：TO-220SIS 料号：JTG8-2165 资料：规格书/封装库包装：	参考价格:￥21.571700	购买数量不能超过商品库存，已为您修正！现货库存:0 可供数量:咨询个总额：	加入询盘

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